Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
• напряжение сток-исток (vdss):700 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:37A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):20V
• rds on (max) @ id, vgs:75mOhm @ 20A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 1mA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 20 V
• ВГС (макс.):+23V, -10V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:1175 pF @ 700 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):130W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:D3PAK
• упаковка / чехол:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA