- номер частиMRF8S18260HR6
- БрендNXP Semiconductors
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеFET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8
- Категориятранзисторы - fets, mosfets - rf
В наличии: 3 417
Могу отправить немедленно
Цены:
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tape & Reel (TR)
- статус детали:Obsolete
- тип транзистора:LDMOS (Dual)
- частота:1.81GHz
- прирост:17.9dB
- напряжение - тест:30 V
- номинальный ток (ампер):-
- коэффициент шума:-
- текущий - тест:1.6 A
- выходная мощность:74W
- напряжение - номинальное:65 V
- упаковка / чехол:SOT-1110A
- пакет устройств поставщика:NI1230-8
сопутствующие товары
IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4
В наличии: 3 895
- 1: $95.40000
- 250: $95.40000
RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL
В наличии: 130
- 1: $802.51000
PCH 4V DRIVE SERIES
В наличии: 7 000
- 1: $0.71000
IC AMP RF LDMOS
В наличии: 3 222
Позвоните, чтобы узнать цену
FET RF 15V 2.3GHZ 3M
В наличии: 2 425
Позвоните, чтобы узнать цену
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
В наличии: 50
- 1: $50.66000
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
В наличии: 10
- 1: $788.36000
NCH 4V DRIVE SERIES
В наличии: 2 462
- 1: $0.59000
IC AMP RF LDMOS
В наличии: 3 034
Позвоните, чтобы узнать цену
20W CW, 500 - 4000MHZ GAN POWER
В наличии: 3 786
- 1: $49.99000
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.