- номер частиMRF8P20160HSR3
- БрендRochester Electronics
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеRF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL
- Категориятранзисторы - fets, mosfets - rf
В наличии: 2 952
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$151.94
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Bulk
- статус детали:Active
- тип транзистора:LDMOS (Dual)
- частота:1.92GHz
- прирост:16.5dB
- напряжение - тест:28 V
- номинальный ток (ампер):-
- коэффициент шума:-
- текущий - тест:550 mA
- выходная мощность:37W
- напряжение - номинальное:65 V
- упаковка / чехол:NI-780S-4
- пакет устройств поставщика:NI-780S-4
сопутствующие товары
FET RF 65V 945MHZ NI-360
В наличии: 2 215
Позвоните, чтобы узнать цену
RF MOSFET LDMOS DL 50V OM1230-4L
В наличии: 37
- 1: $158.71000
- 150: $135.84393
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
В наличии: 2 176
- 1: $179.80960
- 150: $136.64047
IC RF FET LDMOS H-33288-6
В наличии: 2 234
Позвоните, чтобы узнать цену
FET RF 68V 1.88GHZ NI880S
В наличии: 2 642
Позвоните, чтобы узнать цену
RF MOSFET N-CHANNEL 50V 4SMD
В наличии: 2 509
Позвоните, чтобы узнать цену
PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES
В наличии: 630 000
- 1: $0.22000
RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO-10
В наличии: 2 620
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
В наличии: 3 574
Позвоните, чтобы узнать цену
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
В наличии: 2 008
Позвоните, чтобы узнать цену
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.