Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):3 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):100 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:1.2V @ 375mA, 3A
• ток - отсечка коллектора (макс.):50µA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:10 @ 3A, 4V
• мощность - макс.:1.56 W
• частота - переход:3MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• пакет устройств поставщика:DPAK