Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Box
• статус детали:Active
• тип IGBT:NPT
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):90 A
• мощность - макс.:370 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 50A

• ток - отсечка коллектора (макс.):4 mA
• входная емкость (cis) @ vce:3.3 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:Y4-M5
• пакет устройств поставщика:Y4-M5