- номер частиMHT1004GNR3
- БрендRochester Electronics
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Категориятранзисторы - fets, mosfets - rf
В наличии: 46
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$126.52
- 250$113.59216
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Bulk
- статус детали:Obsolete
- тип транзистора:LDMOS
- частота:2.45GHz
- прирост:15.2dB
- напряжение - тест:32 V
- номинальный ток (ампер):10µA
- коэффициент шума:-
- текущий - тест:100 mA
- выходная мощность:280W
- напряжение - номинальное:65 V
- упаковка / чехол:OM-780-2G
- пакет устройств поставщика:OM-780-2 Gull
сопутствующие товары
NFET DPAK 25V 65A 0.0075R
В наличии: 12 500
- 1: $0.29000
NOW NEXPERIA ON5234 0, D2PAK
В наличии: 3 825
- 1: $0.20000
IC AMP RF LDMOS
В наличии: 3 186
Позвоните, чтобы узнать цену
RF PWR MOSFET 500V 20A DIE
В наличии: 2 455
- 1: $255.38100
- 10: $200.64400
NCH J-FET
В наличии: 14 411
- 1: $0.23000
BLM9D2527-09AM/LGA7X7/REELDP
В наличии: 902
- 1: $15.28000
RF TRANSISTOR 320W 6LD SOT1258-4
В наличии: 2 721
Позвоните, чтобы узнать цену
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8
В наличии: 2 236
Позвоните, чтобы узнать цену
NOW NEXPERIA ON5173 0, D2PAK
В наличии: 10 400
- 1: $0.73000
RF N CHANNEL, MOSFET
В наличии: 250
- 1: $106.56000
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.