Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип IGBT:-
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):600 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):125 A
• мощность - макс.:330 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 100A

• ток - отсечка коллектора (макс.):1 mA
• входная емкость (cis) @ vce:6.2 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:S-3 Module
• пакет устройств поставщика:S3