Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип памяти:Non-Volatile
• формат памяти:RAM
• технологии:MRAM (Magnetoresistive RAM)
• объем памяти:8Mb (2M x 4)
• интерфейс памяти:-

• тактовая частота:54 MHz
• время цикла записи - слово, страница:-
• время доступа:-
• напряжение - питание:2.7V ~ 3.6V
• Рабочая Температура:-40°C ~ 105°C
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:8-WDFN Exposed Pad
• пакет устройств поставщика:8-DFN (5x6)