Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):10 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):45 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 100mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):200pA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:150 @ 1mA, 5V
• мощность - макс.:-
• частота - переход:600MHz
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:Die
• пакет устройств поставщика:Die