Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):500 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):80 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 100mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:50 @ 100mA, 1V
• мощность - макс.:625 mW
• частота - переход:100MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• пакет устройств поставщика:TO-92-3