Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):3 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):80 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:1.7V @ 600mA, 3A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:50 @ 100mA, 1V
• мощность - макс.:1.5 W
• частота - переход:500MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:-
• упаковка / чехол:-
• пакет устройств поставщика:-