Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):300 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:500mV @ 1mA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:40 @ 20mA, 10V
• мощность - макс.:1 W
• частота - переход:50MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
• пакет устройств поставщика:TO-92-3