Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
• напряжение сток-исток (vdss):1700 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):20V
• rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 100A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 36mA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:376 nC @ 20 V
• ВГС (макс.):+20V, -5V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:7340 pF @ 1000 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):-
• Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• пакет устройств поставщика:SOT-227B
• упаковка / чехол:SOT-227-4, miniBLOC