Технические подробности

• ряд:BIMOSFET™
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип IGBT:-
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1700 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):42 A
• ток - коллектор импульсный (icm):265 A
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:6V @ 15V, 21A
• мощность - макс.:357 W
• переключение энергии:3.43mJ (on), 430µJ (off)

• тип ввода:Standard
• заряд ворот:188 nC
• td (вкл./выкл.) при 25°C:19ns/200ns
• условия испытаний:850V, 21A, 1Ohm, 15V
• время обратного восстановления (trr):330 ns
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• пакет устройств поставщика:TO-268