Технические подробности

• ряд:BIMOSFET™
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип IGBT:-
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1700 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):80 A
• ток - коллектор импульсный (icm):300 A
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 42A
• мощность - макс.:360 W
• переключение энергии:-

• тип ввода:Standard
• заряд ворот:188 nC
• td (вкл./выкл.) при 25°C:-
• условия испытаний:-
• время обратного восстановления (trr):1.32 µs
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-247-3
• пакет устройств поставщика:TO-247AD (IXBH)