Технические подробности

• ряд:BIMOSFET™
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип IGBT:NPT
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):3000 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):38 A
• ток - коллектор импульсный (icm):120 A
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 14A
• мощность - макс.:200 W
• переключение энергии:-

• тип ввода:Standard
• заряд ворот:62 nC
• td (вкл./выкл.) при 25°C:40ns/166ns
• условия испытаний:960V, 14A, 20Ohm, 15V
• время обратного восстановления (trr):1.4 µs
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• пакет устройств поставщика:TO-263