- номер частиIS61LV12824-10BI
- БрендISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеIC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA
- Категорияобъем памяти
В наличии: 2 430
Могу отправить немедленно
Цены:
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tray
- статус детали:Obsolete
- тип памяти:Volatile
- формат памяти:SRAM
- технологии:SRAM - Asynchronous
- объем памяти:3Mb (128K x 24)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:-
- время цикла записи - слово, страница:10ns
- время доступа:10 ns
- напряжение - питание:2.97V ~ 3.63V
- Рабочая Температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:119-BGA
- пакет устройств поставщика:119-PBGA (14x22)
сопутствующие товары
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
В наличии: 3 241
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96FBGA
В наличии: 2 914
Позвоните, чтобы узнать цену
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
В наличии: 2 848
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8VFBGA
В наличии: 3 498
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 128KBIT I2C 4WLCSP
В наличии: 725 000
- 1: $0.34258
IC FLASH RAM 4G PARALLEL
В наличии: 2 946
- 1: $9.67500
EMMC 128G MMC5.1 J56X AAT
В наличии: 2 235
Позвоните, чтобы узнать цену
STANDARD SRAM, 1MX8, 12NS, CMOS
В наличии: 530
- 1: $40.55000
IC MEMORY FLASH NOR
В наличии: 2 338
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 256KBIT I2C 400KHZ DIE
В наличии: 2 987
Позвоните, чтобы узнать цену
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.