- номер частиIS61LPS25636A-200B2I-TR
- БрендISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
- Категорияобъем памяти
В наличии: 3 487
Могу отправить немедленно
Цены:
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tape & Reel (TR)
- статус детали:Obsolete
- тип памяти:Volatile
- формат памяти:SRAM
- технологии:SRAM - Synchronous, SDR
- объем памяти:9Mb (256K x 36)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:200 MHz
- время цикла записи - слово, страница:-
- время доступа:3.1 ns
- напряжение - питание:3.135V ~ 3.465V
- Рабочая Температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:119-BBGA
- пакет устройств поставщика:119-PBGA (14x22)
сопутствующие товары
IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28TSOP
В наличии: 2 789
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 34WFBGA
В наличии: 3 485
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 16KBIT I2C 8MSOP
В наличии: 2 695
- 1: $0.63000
- 3000: $0.43066
- 6000: $0.41663
DUAL-PORT SRAM, 128KX18
В наличии: 75
- 1: $62.40000
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
В наличии: 1 457
- 1: $0.19000
- 100: $0.18015
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA
В наличии: 3 059
Позвоните, чтобы узнать цену
STANDARD SRAM, 512KX36, 8.5NS
В наличии: 381
- 1: $15.60000
QDR SRAM, 2MX9, 0.45NS
В наличии: 571
- 1: $21.26000
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
В наличии: 2 837
- 1: $0.72000
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
В наличии: 3 011
- 1: $2.59000
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.