- номер частиIS61LPS25636A-200B2I
- БрендISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеIC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
- Категорияобъем памяти
В наличии: 2 840
Могу отправить немедленно
Цены:
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tray
- статус детали:Obsolete
- тип памяти:Volatile
- формат памяти:SRAM
- технологии:SRAM - Synchronous, SDR
- объем памяти:9Mb (256K x 36)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:200 MHz
- время цикла записи - слово, страница:-
- время доступа:3.1 ns
- напряжение - питание:3.135V ~ 3.465V
- Рабочая Температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:119-BBGA
- пакет устройств поставщика:119-PBGA (14x22)
сопутствующие товары
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP
В наличии: 2 398
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
В наличии: 3 470
- 1: $91.28220
- 1000: $65.10996
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
В наличии: 1 494
- 1: $7.70000
- 2000: $5.58541
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
В наличии: 2 153
Позвоните, чтобы узнать цену
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
В наличии: 2 357
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP
В наличии: 3 326
Позвоните, чтобы узнать цену
STANDARD SRAM, 32KX9, 25NS
В наличии: 1 000
- 1: $2.78000
IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOIC
В наличии: 3 558
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP
В наличии: 3 814
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP
В наличии: 236
- 1: $25.20000
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.