- номер частиIS43DR82560B-3DBLI
- БрендISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеIC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
- Категорияобъем памяти
В наличии: 2 793
Могу отправить немедленно
Цены:
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tray
- статус детали:Active
- тип памяти:Volatile
- формат памяти:DRAM
- технологии:SDRAM - DDR2
- объем памяти:2Gb (256M x 8)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:333 MHz
- время цикла записи - слово, страница:15ns
- время доступа:450 ps
- напряжение - питание:1.7V ~ 1.9V
- Рабочая Температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:60-TFBGA
- пакет устройств поставщика:60-TWBGA (10.5x13)
сопутствующие товары
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SOIC
В наличии: 38 517
- 1: $0.21000
- 10: $0.21117
- 100: $0.17459
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
В наличии: 3 353
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 40TSOP
В наличии: 2 384
Позвоните, чтобы узнать цену
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
В наличии: 195
- 1: $11.54000
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
В наличии: 3 864
- 1: $3.60096
- 2500: $3.35412
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
В наличии: 2 165
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
В наличии: 3 237
- 1: $27.64583
- 72: $27.64583
QDR SRAM, 512KX36, 0.45NS, CMOS,
В наличии: 1 881
- 1: $54.90000
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
В наличии: 3 687
- 1: $8.19331
- 136: $7.19037
OTP ROM, 512X8, CMOS, PQCC28
В наличии: 447
- 1: $17.19000
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.