- номер частиIS42VM32160E-75BLI
- БрендISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеIC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA
- Категорияобъем памяти
В наличии: 3 491
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$9.13454
- 240$9.13454
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tray
- статус детали:Active
- тип памяти:Volatile
- формат памяти:DRAM
- технологии:SDRAM - Mobile
- объем памяти:512Mb (16M x 32)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:133 MHz
- время цикла записи - слово, страница:-
- время доступа:6 ns
- напряжение - питание:1.7V ~ 1.95V
- Рабочая Температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:90-TFBGA
- пакет устройств поставщика:90-TFBGA (8x13)
сопутствующие товары
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP
В наличии: 2 901
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
В наличии: 4 082
- 1: $2.37000
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
В наличии: 2 034
- 1: $8.73411
- 168: $8.10335
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SO
В наличии: 2 236
- 1: $0.40000
- 2500: $0.30883
- 5000: $0.28369
4 X4 XPOINT SWITCH WITH MEMORY
В наличии: 3 469
- 1: $1.73000
IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
В наличии: 580
- 1: $105.37000
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA
В наличии: 3 238
- 1: $18.97500
- 2000: $18.97500
IC EEPROM 256KBIT PAR 28CPGA
В наличии: 3 785
- 1: $304.80200
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
В наличии: 239
- 1: $14.47000
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ SOT23-5
В наличии: 3 208
- 1: $0.11000
- 3000: $0.11000
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.