- номер частиIS42VM16320E-6BLI
- БрендISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеIC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA
- Категорияобъем памяти
В наличии: 2 572
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$8.62707
- 348$8.62707
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tray
- статус детали:Active
- тип памяти:Volatile
- формат памяти:DRAM
- технологии:SDRAM - Mobile
- объем памяти:512Mb (32M x 16)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:166 MHz
- время цикла записи - слово, страница:-
- время доступа:5.5 ns
- напряжение - питание:1.7V ~ 1.95V
- Рабочая Температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:54-TFBGA
- пакет устройств поставщика:54-TFBGA (8x8)
сопутствующие товары
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
В наличии: 3 248
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC
В наличии: 2 523
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8DFN
В наличии: 3 108
- 1: $0.36000
- 3300: $0.31930
IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC
В наличии: 2 873
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLSH 64GBIT PARALLEL 48TSOP I
В наличии: 2 796
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
В наличии: 3 361
Позвоните, чтобы узнать цену
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA
В наличии: 2 415
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SO
В наличии: 3 994
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SOIC
В наличии: 2 721
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
В наличии: 3 625
- 1: $7.75500
- 260: $7.75500
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.