Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• управляемая конфигурация:Half-Bridge
• тип канала:Independent
• количество водителей:2
• тип ворот:IGBT, N-Channel MOSFET
• напряжение - питание:10V ~ 20V
• логическое напряжение - vil, vih:0.8V, 2.5V

• ток - пиковый выход (источник, сток):290mA, 600mA
• тип ввода:Non-Inverting
• напряжение на стороне высокого напряжения - макс. (начальная загрузка):200 V
• время нарастания/спада (тип.):70ns, 35ns
• Рабочая Температура:-40°C ~ 125°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:8-DIP (0.300", 7.62mm)
• пакет устройств поставщика:8-DIP