Технические подробности

• ряд:HEXFET®
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):55 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:42A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
• rds on (max) @ id, vgs:27mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 5 V
• ВГС (макс.):-
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.7 pF @ 25 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):-
• Рабочая Температура:-
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:I-PAK
• упаковка / чехол:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA