Технические подробности

• ряд:HEXFET®
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):30 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:160A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.95mOhm @ 148A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:2.35V @ 150µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:83 nC @ 4.5 V
• ВГС (макс.):±20V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:8.02 pF @ 25 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):195W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
• упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB