Технические подробности

• ряд:HEXFET®
• упаковка:Tube
• статус детали:Obsolete
• тип фета:P-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):60 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:5.1A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
• rds on (max) @ id, vgs:500mOhm @ 3.1A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
• ВГС (макс.):±20V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:270 pF @ 25 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 25W (Tc)
• Рабочая Температура:-
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:IPAK (TO-251)
• упаковка / чехол:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA