Технические подробности

• ряд:HEXFET®
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):150 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.6A (Ta)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
• rds on (max) @ id, vgs:185mOhm @ 1.6A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
• ВГС (макс.):±30V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:420 pF @ 25 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):2.8W (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:SOT-223
• упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA