Технические подробности

• ряд:HEXFET®
• упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• статус детали:Active
• тип фета:P-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):30 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:5.4A (Ta)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:59mOhm @ 5.4A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 10µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
• ВГС (макс.):±20V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:386 pF @ 25 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:8-SO
• упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)