Технические подробности

• ряд:HEXFET®
• упаковка:Tube
• статус детали:Obsolete
• тип фета:N-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):40 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:10A (Ta)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.8V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:13mOhm @ 10A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 4.5 V
• ВГС (макс.):±12V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:3.43 pF @ 20 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:8-SO
• упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)