Технические подробности

• ряд:HEXFET®
• упаковка:Tube
• статус детали:Obsolete
• тип фета:P-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):20 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:6.7A (Ta)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.7V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:40mOhm @ 3.2A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id:700mV @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 4.5 V
• ВГС (макс.):±12V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.5 pF @ 15 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:8-SO
• упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)