Технические подробности

• ряд:CoolSiC™
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
• напряжение сток-исток (vdss):1200 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:52A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):15V
• rds on (max) @ id, vgs:59mOhm @ 20A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id:5.7V @ 10mA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 15 V
• ВГС (макс.):+20V, -10V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:1900 pF @ 800 V
• Фет-функция:Current Sensing
• рассеиваемая мощность (макс.):228W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:PG-TO247-4-1
• упаковка / чехол:TO-247-4