- номер частиIGN1011L70
- БрендIntegra Technologies
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеGAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- Категориятранзисторы - fets, mosfets - rf
В наличии: 2 887
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$222
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Bulk
- статус детали:Active
- тип транзистора:GaN HEMT
- частота:1.03GHz ~ 1.09GHz
- прирост:22dB
- напряжение - тест:50 V
- номинальный ток (ампер):-
- коэффициент шума:-
- текущий - тест:22 mA
- выходная мощность:80W
- напряжение - номинальное:120 V
- упаковка / чехол:PL32A2
- пакет устройств поставщика:PL32A2
сопутствующие товары
JFET N-CH 25V 5MA TO92
В наличии: 3 072
Позвоните, чтобы узнать цену
MOSFET N-CH 10V 50MA SOT143
В наличии: 2 698
Позвоните, чтобы узнать цену
FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
В наличии: 586
- 1: $25.77000
- 500: $13.11206
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
В наличии: 691
- 1: $30.14000
- 500: $13.94204
NCH 15V DRIVE SERIES
В наличии: 48 300
- 1: $0.64000
BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYDP
В наличии: 166
- 1: $145.49000
- 20: $138.60395
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B
В наличии: 2 277
Позвоните, чтобы узнать цену
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A
В наличии: 3 292
- 1: $657.72000
- 20: $657.72000
BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
В наличии: 8
- 1: $361.33000
FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
В наличии: 3 628
- 1: $35.75000
- 500: $12.68272
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.