Технические подробности

• ряд:HTMOS™
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):55 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:-
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):5V
• rds on (max) @ id, vgs:400mOhm @ 100mA, 5V
• vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 100µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:4.3 nC @ 5 V
• ВГС (макс.):10V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 28 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):50W (Tj)
• Рабочая Температура:-
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:-
• упаковка / чехол:8-CDIP Exposed Pad