Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип фета:-
• технологии:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• напряжение сток-исток (vdss):600 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
• rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 50A
• vgs(th) (макс.) @ id:-

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:-
• ВГС (макс.):-
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:-
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):769W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 225°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:TO-258
• упаковка / чехол:TO-258-3, TO-258AA