Технические подробности

• ряд:G2R™
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
• напряжение сток-исток (vdss):3300 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:35A
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):20V
• rds on (max) @ id, vgs:156mOhm @ 20A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id:-

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:145 nC @ 20 V
• ВГС (макс.):+25V, -10V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:3706 pF @ 1000 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):-
• Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:TO-263-7
• упаковка / чехол:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA