Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Not For New Designs
• тип IGBT:-
• конфигурация:Full Bridge Inverter
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):25 A
• мощность - макс.:110 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 15A

• ток - отсечка коллектора (макс.):5 mA
• входная емкость (cis) @ vce:1.1 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:Yes
• Рабочая Температура:-40°C ~ 125°C
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:Module
• пакет устройств поставщика:Module