Технические подробности

• ряд:QFET®
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):200 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:31A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:75mOhm @ 15.5A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:72 nC @ 5 V
• ВГС (макс.):±20V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:3.9 pF @ 25 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):3.13W (Ta), 180W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
• упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB