Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):4.7 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):4.7 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:20 @ 10mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)
• частота - переход:250 MHz
• мощность - макс.:200 mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• пакет устройств поставщика:SOT-23-3 (TO-236)