Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):4.7 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):10 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:30 @ 5mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)
• частота - переход:200 MHz
• мощность - макс.:300 mW
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• пакет устройств поставщика:TO-92-3