Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):40 V
• резистор - база (r1):4.7 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):-

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)
• частота - переход:250 MHz
• мощность - макс.:300 mW
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• пакет устройств поставщика:TO-92-3