Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип IGBT:Trench Field Stop
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):995 A
• мощность - макс.:4050 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 600A

• ток - отсечка коллектора (макс.):3 mA
• входная емкость (cis) @ vce:37 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:Yes
• Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:Module
• пакет устройств поставщика:Module