Технические подробности

• ряд:C
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип IGBT:Trench Field Stop
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):320 A
• мощность - макс.:1100 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A

• ток - отсечка коллектора (макс.):5 mA
• входная емкость (cis) @ vce:14 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:Module
• пакет устройств поставщика:Module