- номер частиEPC2110ENGRT
- БрендEPC
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеGAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
- Категориятранзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
В наличии: 3 712
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$2.37
- 2 500$1.06234
Технические подробности
- ряд:eGaN®
- упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- статус детали:Active
- тип фета:2 N-Channel (Dual) Common Source
- Фет-функция:GaNFET (Gallium Nitride)
- напряжение сток-исток (vdss):120V
- ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3.4A
- rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 4A, 5V
- vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 700µA
- заряд затвора (qg) (max) @ vgs:0.8nC @ 5V
- входная емкость (ciss) (max) @ vds:80pF @ 60V
- мощность - макс.:-
- Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:Die
- пакет устройств поставщика:Die
сопутствующие товары
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
В наличии: 2 583
Позвоните, чтобы узнать цену
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-SOIC
В наличии: 3 782
Позвоните, чтобы узнать цену
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
В наличии: 3 158
Позвоните, чтобы узнать цену
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
В наличии: 2 444
- 1: $7.14840
- 50: $7.14840
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
В наличии: 2 750
Позвоните, чтобы узнать цену
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
В наличии: 2 414
- 1: $0.25000
- 10000: $0.25000
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8
В наличии: 177 000
- 1: $0.34000
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
В наличии: 3 156
- 1: $1.48000
- 2500: $0.79202
- 5000: $0.75460
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
В наличии: 3 823
Позвоните, чтобы узнать цену
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
В наличии: 3 872
Позвоните, чтобы узнать цену
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.