- номер частиEPC2103ENGRT
- БрендEPC
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеGANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
- Категориятранзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
В наличии: 3 211
Могу отправить немедленно
Цены:
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:eGaN®
- упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- статус детали:Discontinued at Digi-Key
- тип фета:2 N-Channel (Half Bridge)
- Фет-функция:GaNFET (Gallium Nitride)
- напряжение сток-исток (vdss):80V
- ток - непрерывный слив (id) при 25°c:23A
- rds on (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 20A, 5V
- vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 7mA
- заряд затвора (qg) (max) @ vgs:6.5nC @ 5V
- входная емкость (ciss) (max) @ vds:7600pF @ 40V
- мощность - макс.:-
- Рабочая Температура:-
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:Die
- пакет устройств поставщика:Die
сопутствующие товары
MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
В наличии: 2 302
- 1: $5.29640
- 50: $5.17854
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
В наличии: 51 399
- 1: $0.37000
- 3000: $0.07721
- 6000: $0.07013
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
В наличии: 1 339 730 000
- 1: $0.58000
- 2500: $0.23676
- 5000: $0.22309
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
В наличии: 3 882
Позвоните, чтобы узнать цену
MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC
В наличии: 2 497
Позвоните, чтобы узнать цену
DUAL 1.5A-PEAK LOW-SIDE MOSFET D
В наличии: 10 000
- 1: $0.42000
PFET, 3.1A I(D), 60V, 0.11OHM, 2
В наличии: 6 253
- 1: $0.27000
- 2500: $0.27000
- 5000: $0.25649
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
В наличии: 553
- 1: $0.63000
- 3000: $0.63000
- 6000: $0.59850
MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
В наличии: 36 913
- 1: $0.56000
- 3000: $0.25620
- 6000: $0.23968
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 6A 8SOP
В наличии: 2 845
- 1: $0.08400
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.