Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tape & Reel (TR)
• статус детали:Not For New Designs
• тип транзистора:PNP - Pre-Biased + Diode
• ток - коллектор (ic) (макс.):30 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):47 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):47 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:68 @ 5mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA
• частота - переход:250 MHz
• мощность - макс.:120 mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
• пакет устройств поставщика:EMT5