Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tape & Reel (TR)
• статус детали:Not For New Designs
• тип транзистора:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):100mA, 500mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50V, 12V
• резистор - база (r1):47kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):47kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA
• частота - переход:250MHz, 320MHz
• мощность - макс.:150mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:SOT-563, SOT-666
• пакет устройств поставщика:EMT6