Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tape & Reel (TR)
• статус детали:Active
• тип транзистора:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• ток - коллектор (ic) (макс.):100mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50V
• резистор - база (r1):10kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):-

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):-
• частота - переход:250MHz
• мощность - макс.:150mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:SOT-563, SOT-666
• пакет устройств поставщика:EMT6