Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tape & Box (TB)
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:PNP - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):500 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):1 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):10 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:56 @ 50mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA
• частота - переход:200 MHz
• мощность - макс.:300 mW
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:SC-72 Formed Leads
• пакет устройств поставщика:SPT