Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tape & Reel (TR)
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):10 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):47 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:80 @ 5mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:250mV @ 2.5mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA
• частота - переход:250 MHz
• мощность - макс.:250 mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:3-UFDFN
• пакет устройств поставщика:3-X1DFN1006