Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):1 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):80 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:500mV @ 50mA, 500mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):10nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 150mA, 10V
• мощность - макс.:2 W
• частота - переход:400MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA
• пакет устройств поставщика:SOT-223